类型：MOSFET输出固态继电器
　　通道类型：单通道
　　输入类型：红外LED
　　输出类型：MOSFET
　　最大负载电压（VOFF）：60 V
　　最大连续负载电流（IO）：2 A
　　导通电阻（RON）：典型值80 mΩ，最大值120 mΩ
　　输入正向电流（IF）：5 mA（推荐工作条件）
　　反向电压（VR）：5 V
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：S-VSON4
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　尺寸：2.0 mm x 1.6 mm x 0.9 mm

G3VM-WFL(TR)具备多项优异的技术特性，使其在现代电子系统中成为理想的开关元件。首先，其超低导通电阻是该器件的核心优势之一。典型值仅为80 mΩ，最大不超过120 mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗和温升，提高了系统效率，尤其适用于大电流或对能效要求较高的应用。低RON还意味着在开关过程中电压降极小，能够更精确地传输信号或驱动负载，减少信号失真，特别适合用于精密模拟信号切换或多路复用系统。
　　其次，该器件采用光MOSFET技术，实现了输入与输出之间的完全电气隔离。其隔离电压高达5000 Vrms（1分钟），能够有效防止高压干扰传递到控制侧，保护微控制器和其他敏感电路，提升整个系统的安全性与可靠性。这种隔离特性在工业自动化、医疗设备和电力监控等高安全要求的领域尤为重要。
　　第三，G3VM-WFL(TR)具有极高的响应速度。由于是全固态结构，没有机械触点，其开关速度远高于传统电磁继电器，典型导通时间小于1 ms，关断时间也极短。这使得它非常适合用于高频开关操作或需要快速响应的控制系统。此外，无触点设计消除了电弧、接触抖动和机械磨损等问题，从而实现了几乎无限的电气寿命，极大地提升了系统的长期稳定性和免维护性。
　　第四，其S-VSON4超小型封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，有利于提高生产效率和降低制造成本。该器件的输入驱动电流低至5 mA，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。同时，器件具有良好的抗冲击和抗振动性能，适用于恶劣的工业环境。

G3VM-WFL(TR)广泛应用于需要小型化、高可靠性和低功耗开关控制的电子设备中。在通信设备中，它常用于信号路由、多路复用和线路切换，利用其低导通电阻和高隔离特性确保信号完整性。在测试与测量仪器中，该器件可用于自动测试设备（ATE）中的通道选择开关，实现高精度、低噪声的信号路径控制。在工业自动化领域，它被用于PLC模块、传感器接口和执行器控制，提供可靠的隔离驱动解决方案。
　　在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和无触点特性，G3VM-WFL(TR)可用于病人连接设备中的安全隔离开关，满足严格的电气安全标准。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电池管理、音频路径切换或摄像头模组控制，得益于其超薄封装和低功耗特性。
　　此外，该器件也适用于电源管理系统，例如在多电源选择电路或负载开关中作为高效的通断控制元件。在汽车电子中，可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中的低电压信号切换。总之，任何需要微型化、长寿命、低噪声和高可靠性的开关应用，G3VM-WFL(TR)都是一个理想的选择。

G3VM-61E4(TR)
　　G3VM-S101DZ(TR)
　　TLP3545(TP)
　　AP1S610JN