时间：2025/4/29 14:09:25
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DMN61D9UDWQ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 UltraMOS 技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能应用场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。其封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：28nC（典型值）
开关速度：快速
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
DMN61D9UDWQ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力，支持大功率设计。
4. 宽温度范围操作，适应恶劣环境条件。
5. 具备出色的热性能，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 电信设备中的 DC-DC 转换电路。
2. 工业自动化控制中的电机驱动和电磁阀驱动。
3. 计算机及外设的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
5. 新能源汽车的电池管理系统（BMS）。
6. LED 照明驱动电源。
7. 多种高效能功率转换应用。
DMN61D9UFG, DMN61D9UFQ
