P4C164-55FMB 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由 Alliance Semiconductor 公司生产。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问时间的特点。P4C164-55FMB 提供了 256K x 16 位的存储容量,适用于需要快速数据存取的应用场景。
类型:SRAM
容量:256K x 16 位
访问时间:55ns
电源电压:3.3V 或 5V 可选
封装形式:100-TQFP
工作温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
输入/输出电平:TTL/CMOS 兼容
最大工作频率:约 18MHz
P4C164-55FMB 芯片采用了先进的 CMOS 技术,能够在保证高速性能的同时实现较低的功耗。其 55ns 的访问时间使其适用于对速度要求较高的系统设计。此外,该芯片支持 3.3V 或 5V 两种电源电压,提供了更高的灵活性和兼容性。
该器件具有 TTL 和 CMOS 输入/输出电平兼容性,便于与各种类型的逻辑电路接口连接。100-TQFP 封装形式有助于节省 PCB 板空间,并提高在高密度设计中的适用性。
P4C164-55FMB 还具备优异的可靠性,在工业级温度范围内(-40°C 至 +85°C)稳定工作,适合应用于恶劣环境条件下的嵌入式系统、通信设备以及工业控制设备。
P4C164-55FMB 广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的场合,例如网络路由器、交换机、测试仪器、嵌入式处理器系统、图形加速卡等。由于其低功耗和高速特性,也非常适合用于电池供电设备或便携式电子设备中的临时存储模块。
IS61LV25616-55BLL