时间：2025/9/4 2:16:30
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MTP8P10 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率管理和开关应用。这款器件设计用于高效率和高可靠性，适用于电源转换、负载开关、电机控制等领域。MTP8P10 采用 TO-252（DPAK）封装，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：100 V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20 V
最大连续漏极电流（ID）：8 A
导通电阻（RDS(on)）：125 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻（RDS(on)）：185 mΩ @ VGS = 4.5 V
功率耗散（PD）：60 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
MTP8P10 MOSFET 具备多项优秀的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。
首先，该器件的最大漏极-源极电压（VDS）为 100 V，适合用于中高压功率转换应用，例如开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统。其最大连续漏极电流为 8 A，在适当的散热条件下可支持较高的功率负载。
其次，MTP8P10 的导通电阻非常低，在 VGS = 10 V 时典型值为 125 mΩ，在 VGS = 4.5 V 时则为 185 mΩ。这种低 RDS(on) 特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，适用于高频开关电路。
MTP8P10 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
- DC-DC 转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Flyback）拓扑
- 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关
- 电机驱动器和负载开关电路
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- LED 照明驱动电路
- 电信和网络设备中的电源管理单元
- 汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池供电设备
IRFZ44N, FDP8896, FQP8N10L, SiHF8N10
