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SPD30N03S2L-07 G 发布时间 时间:2025/5/30 16:09:05 查看 阅读:7

SPD30N03S2L-07 G是一款高性能的MOSFET功率器件,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
  其封装形式为TO-252(DPAK),能够有效提升散热性能并简化电路设计。此外,该型号支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高组装效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:61A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:18nC
  总电容:162pF
  功耗:25W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

SPD30N03S2L-07 G具备以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并改善动态性能。
  4. 小型化的TO-252封装设计,优化了PCB布局与散热管理。
  5. 提供优异的热稳定性和电气稳定性,确保长时间运行下的可靠性。
  6. 兼容多种保护功能,如过流保护和短路保护等,增强系统的安全性。

应用

该器件适用于广泛的工业和消费电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流电机驱动和控制。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 工业自动化设备中的功率转换。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

SPD30N03S2L-08 G, IRF3710, FDP17N30

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SPD30N03S2L-07 G参数

  • 数据列表SPD30N03S2L-07 G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 85µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2530pF @ 25V
  • 功率 - 最大136W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000443922