时间：2025/8/5 20:55:45
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IXTH17N60是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种高功率应用。该器件采用TO-247封装形式，具备优良的热性能和电气性能，使其在高功率转换和控制电路中表现卓越。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：17A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.32Ω
栅极电荷（Qg）：典型值48nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXTH17N60 MOSFET采用了先进的平面技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电压和高电流能力使其适合于需要高功率密度的应用。此外，该器件具备优良的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-247封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和使用。
该MOSFET的栅极驱动设计优化，使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件的可靠性和耐用性。这些特性使其成为工业电源、电机控制、逆变器和各种高功率电子设备的理想选择。
IXTH17N60广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、直流-直流转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。其高电压和高电流能力使其特别适合需要高效功率转换和可靠性能的应用场景。
STP17N60, IRFP460, FDPF17N60
