PJS6834是一款由PanJit(强茂)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备良好的热稳定性和低导通电阻特性。PJS6834采用先进的沟槽技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其适用于多种电源管理场景,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和马达控制等。这款MOSFET通常采用TO-252(DPAK)封装,便于散热并适用于表面贴装工艺。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):120A(在25℃)
导通电阻(RDS(on)):约2.3mΩ(典型值,VGS = 10V)
最大功耗(PD):100W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
PJS6834具备出色的电气性能和热管理能力,其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻并提高了电流处理能力。此外,PJS6834具有快速的开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小外部滤波元件的尺寸,提高整体系统的功率密度。该MOSFET还具备良好的雪崩能量承受能力,增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
在封装方面,PJS6834采用TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的热传导性能,适合高功率密度的设计需求。其引脚排列设计也便于PCB布局,并支持自动贴片工艺,提高生产效率。PJS6834符合RoHS环保标准,适用于工业级和汽车电子应用,提供稳定可靠的性能表现。
此外,PJS6834在栅极驱动方面具有较低的输入电容,减少了驱动电路的负担,提高了整体系统的响应速度。其栅极阈值电压较低,确保在各种控制条件下都能实现可靠的导通和关断。这种特性使其特别适用于需要高效能和高可靠性的应用,如电动车辆、储能系统和高性能电源模块。
PJS6834广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动器以及各种高电流电源供应器。此外,该器件也适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化设备、新能源汽车以及储能系统中的功率控制模块。
SiR142DP-T1-GE, FDD150N30A