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SPD15P10PL G 发布时间 时间:2025/5/19 15:42:53 查看 阅读:3

SPD15P10PL G 是一款基于硅工艺的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子电路免受瞬态过电压的损害。它具有快速响应时间、低漏电流和高浪涌吸收能力的特点,适用于通信接口、数据线及电源线等场合的过电压保护。
  该器件设计用于在ESD(静电放电)和其他瞬态事件中提供稳健的保护性能。

参数

类型:瞬态电压抑制器
  工作电压:15V
  峰值脉冲功率:600W(@tp=10ms)
  最大反向工作电压:15.8V
  击穿电压:17.2V
  最大箝位电压:29.4V
  泄漏电流:1μA(最大值,@VRWM=15.8V)
  结电容:3pF(典型值)
  响应时间:1ps(典型值)
  封装形式:SOD-323

特性

SPD15P10PL G 具有以下特点:
  1. 快速响应时间,能够及时响应瞬态过电压;
  2. 低泄漏电流,确保在正常工作条件下对电路的影响最小;
  3. 高浪涌吸收能力,可有效处理多次重复浪涌冲击;
  4. 小型化封装,便于在空间受限的应用中使用;
  5. 符合RoHS标准,环保且适合无铅焊接工艺;
  6. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适应多种环境条件。

应用

SPD15P10PL G 可广泛应用于以下领域:
  1. 数据通信接口保护,如RS-232、RS-485、USB等;
  2. 消费类电子产品中的信号线和电源线保护;
  3. 工业控制设备的接口保护;
  4. 汽车电子系统的瞬态保护;
  5. 网络设备和电信设备中的过压保护;
  6. 物联网(IoT)设备的ESD防护。
  其出色的性能使其成为需要高可靠性和高性能保护场景的理想选择。

替代型号

SPD15P10CA G, SMAJ15A, P6KE15A

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SPD15P10PL G参数

  • 数据列表SPD,SPP15P10PL G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 11.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1.54mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大128W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000317393