时间：2025/6/28 23:20:16
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SPD07N60C3是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款器件专为高频开关应用设计，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器等场合。其出色的性能使其成为高效率电力电子系统中的理想选择。
SPD07N60C3属于STPOWER系列MOSFET产品线，优化了漏源极击穿电压与导通电阻之间的平衡，从而提供卓越的功率密度和热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：1.9Ω
栅极电荷（典型值）：18nC
输入电容（典型值）：450pF
总功耗：15W
工作结温范围：-55℃至+175℃
SPD07N60C3的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻（RDS(on)），能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输入电容，减少开关损耗。
4. 具备雪崩能力，可承受短时间内的能量冲击，提高了系统的可靠性。
5. 封装形式为标准TO-220，易于安装且散热性能良好。
6. 工作温度范围宽广，适应恶劣的工作条件。
这些特性使得SPD07N60C3在多种功率转换和电机驱动应用中表现出色。
SPD07N60C3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机控制
5. 能量管理系统
6. 充电器
由于其高压特性和高效能表现，SPD07N60C3非常适合需要高可靠性和高效率的电力电子设备。
STD07N60KM, STP07NB60C
