型号：IRKT71/08
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：80 V
　　连续漏极电流（Id）：42 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：168 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：3.2 mΩ（Max @ Vgs=10V, Id=21A）
　　导通电阻Rds(on)：4.0 mΩ（Max @ Vgs=4.5V, Id=21A）
　　阈值电压（Vth）：2.1 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：4300 pF（@ Vds=50V）
　　输出电容（Coss）：950 pF（@ Vds=50V）
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Ptot）：100 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8（表贴）

IRKT71/08采用了英飞凌成熟的Trenchstop?沟道MOSFET技术，该技术通过优化芯片内部的沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持了优异的开关速度。这种设计有效减少了导通损耗和开关损耗，使得器件在高频率开关应用中表现出卓越的能效性能。其超低的Rds(on)值（典型值仅为3.2mΩ @ Vgs=10V）意味着在大电流条件下也能维持较低的温升，从而提高系统的整体可靠性和寿命。
　　该器件具备出色的热稳定性和电流承载能力。得益于PG-HSOF-8封装的优化散热设计，热量可以从芯片底部高效传导至PCB，实现良好的热管理。这使得IRKT71/08即使在持续高负载运行下也能保持稳定的工作状态。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）确保了在极端环境温度下的正常运作，适合用于工业自动化、车载电子等严苛应用场景。
　　IRKT71/08还具有较强的抗雪崩能力和耐用的栅极氧化层结构，能够承受一定程度的电压瞬变和能量冲击，增强了系统面对异常工况（如短路或电感反冲）时的安全性。其输入电容和输出电容经过精心匹配，有助于减少驱动电路的负担，并降低EMI干扰。同时，较短的反向恢复时间（trr=28ns）减少了体二极管反向恢复引起的损耗，在同步整流或桥式拓扑中表现尤为突出。
　　该MOSFET支持快速开关操作，适用于高频DC-DC变换器、半桥和全桥拓扑结构。其稳定的阈值电压范围（2.1V~3.0V）保证了良好的开启一致性，配合4.5V逻辑电平驱动即可实现充分导通，兼容大多数现代PWM控制器的输出电平。综合来看，IRKT71/08是一款集低损耗、高可靠性与紧凑封装于一体的高性能功率MOSFET，适用于追求高功率密度和高效率的设计需求。

IRKT71/08广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。其主要使用场景包括但不限于：高性能DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块中作为主开关或同步整流管；工业电机驱动电路中的低边或高边开关元件，利用其低Rds(on)减少发热并提升效率；LED照明驱动电源，尤其是在恒流源拓扑中用于调节输出功率；以及太阳能逆变器、UPS不间断电源等可再生能源和备用电源系统中的功率级开关。
　　此外，由于其封装小巧且散热性能良好，IRKT71/08也常用于空间受限但功率密度要求高的便携式设备电源管理系统。在汽车电子领域，它可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块、电池管理系统（BMS）中的预充电或主控开关，满足车规级应用对可靠性和温度适应性的要求。其高抗扰能力和稳健的电气特性也使其适用于存在电压波动或电磁干扰较强的工业控制环境。
　　在同步整流应用中，IRKT71/08凭借其快速的开关响应和低导通压降，能够显著替代传统肖特基二极管，从而降低整流损耗，提高转换效率。尤其在多相VRM（电压调节模块）设计中，多个IRKT71/08并联可分担大电流负载，实现均流与冗余设计，增强系统稳定性。总之，无论是在消费类电子产品、工业控制系统还是新能源电力电子装置中，IRKT71/08都能发挥关键作用，助力实现更高效、更紧凑的电源解决方案。

IRF7120PbF
　　IRL7833PbF
　　BSC036N08NS5
　　IPB036N08N3