时间：2025/5/23 15:39:29
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SPB80P06PGATMA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 PG-DSO-3 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能开关电源、电机驱动和负载开关等应用场合。其额定电压为 60V，能够满足大多数低压应用的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：非常快
封装类型：PG-DSO-3
SPB80P06PGATMA1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（4mΩ 典型值），有助于减少功率损耗。
2. 高电流承载能力，最大支持 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷，可以有效降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 稳定性高，在高频开关应用中表现优异。
6. 封装紧凑，便于 PCB 布局设计。
SPB80P06PGATMA1 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动控制，例如步进电机和无刷直流电机。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理部分。
IRFZ44N
STP80NF06L
FDP8870
IXFN80N06T2
