时间：2025/3/20 9:26:22
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CMP60N04是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Cree公司（现为Wolfspeed）生产。该器件采用碳化硅(SiC)技术制造，具有高效率、高温性能和快速开关速度等优势。由于其卓越的电气特性和热性能，CMP60N04广泛应用于工业和汽车领域，例如电源转换器、逆变器和电机驱动器等应用中。
这款器件设计用于在高频工作条件下实现低导通损耗和开关损耗，同时提供更高的系统可靠性。与传统的硅基MOSFET相比，基于SiC材料的MOSFET能够承受更高的电压，并在高温环境下保持稳定性能。
型号：CMP60N04
类型：N沟道增强型MOSFET
材料：碳化硅(SiC)
漏源极耐压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ(典型值，在25°C下)
栅极电荷(Qg)：75nC(最大值)
输入电容(Ciss)：930pF(典型值)
输出电容(Coss)：160pF(典型值)
反向传输电容(Crss)：65pF(典型值)
工作温度范围：-55°C至175°C
1. 高击穿电压(650V)，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(40mΩ)，有助于降低导通损耗，提升效率。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，减少开关损耗并允许高频操作。
4. 优异的热性能，能够在高达175°C的结温下可靠运行。
5. 碳化硅材料带来的高可靠性，抗电磁干扰能力强。
6. 小巧的封装尺寸，便于电路板布局和散热设计。
这些特性使得CMP60N04成为高效电源转换和电机控制应用的理想选择。与传统硅基器件相比，SiC MOSFET如CMP60N04能够在更宽的温度范围内保持稳定的性能，并且支持更高的开关频率，从而减小无源元件的尺寸和重量。
1. 开关模式电源(SMPS)：包括AC/DC和DC/DC转换器。
2. 太阳能逆变器：用于光伏系统的功率调节和并网逆变。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)：用于车载充电器(OBC)、电机控制器和DC/DC转换器。
4. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器。
5. 不间断电源(UPS)：用于关键任务备份电源系统。
6. 充电器和适配器：用于消费电子产品的快速充电解决方案。
由于其出色的电气性能和热性能，CMP60N04在需要高效率和高可靠性的应用中表现尤为突出。
1. C2M0080120D：由Infineon生产的SiC MOSFET，具有类似的电压和电流额定值。
2. STPSC65H06T：STMicroelectronics推出的SiC MOSFET，具备较高的开关速度和低导通电阻。
3. FGH008N120SMD：由Fairchild Semiconductor提供的MOSFET，适用于相似的应用场景。
4. SCT2H12NZ：Rohm公司的另一款高性能SiC MOSFET，具有良好的热特性和低损耗特点。
请注意，尽管这些型号可能在某些参数上接近，但在具体应用中仍需仔细评估其电气特性和热管理能力以确保兼容性。
