CL03B682KP3NNNC 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G 介质类型。C0G 介质以其出色的温度稳定性和低老化特性而闻名,适用于高精度和高频应用。该型号具有较高的容值稳定性,在工作温度范围内(-55°C 至 +125°C)其电容量变化极小,适合对电容精度要求高的场景。
CL 系列是村田制作所生产的高品质电容器系列,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
型号:CL03B682KP3NNNC
电容值:68pF
额定电压:50V
公差:±0.25pF
尺寸:0402英寸 (1005公制)
封装:表面贴装 (SMD)
介质材料:C0G (NP0)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
DF值(损耗角正切):≤0.001
ESR(等效串联电阻):极低
ESL(等效串联电感):极低
CL03B682KP3NNNC 的主要特点是其采用了 C0G 类型的介质材料,这种材料保证了电容器在温度变化时的极高稳定性。它的电容值漂移非常小,即使在极端温度条件下也能保持性能一致性。此外,该型号具备低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL),这使得它非常适合用于高频滤波、振荡电路以及其他需要低插入损耗的应用。由于其小型化设计和高可靠性,这款电容器也常被用作射频电路中的匹配元件。
此外,CL03B682KP3NNNC 的公差仅为 ±0.25pF,表明其制造工艺非常精确,从而减少了因元件差异导致的设计问题。
该电容器适用于多种高频和高精度场景,包括但不限于:
1. 滤波电路:作为高频信号处理中的滤波元件,去除不需要的噪声或干扰。
2. 振荡电路:提供稳定的谐振频率,尤其在晶体振荡器中。
3. 射频匹配网络:优化传输效率,减少反射损失。
4. 数据转换器旁路:为 ADC 或 DAC 提供干净的电源去耦。
5. 工业自动化设备中的精密控制电路。
6. 航空航天和军工领域对高可靠性和稳定性的需求。
CL05B681KLNNNC
CL05B682KLNNNC
GRM033R71C680JL01D