RF7920SR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的高功率射频(RF)晶体管,专门设计用于在 850 MHz 至 940 MHz 频率范围内工作的高功率放大器应用。该器件采用先进的 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,能够在蜂窝通信、无线基础设施、广播和工业设备等应用中提供高效、可靠的射频功率放大。RF7920SR 特别适用于 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等无线通信标准,支持高线性度和高效率操作。
频率范围:850 MHz 至 940 MHz
输出功率:典型值为 100 W(连续波)
增益:约 16 dB @ 900 MHz
漏极电压:最大 32 V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:气腔陶瓷封装(Flanged Ceramic Package)
阻抗匹配:50Ω 输入,内部匹配输出
RF7920SR 的核心优势在于其采用了先进的 LDMOS 半导体技术,这使得该器件在高频段下仍能保持高效率和高线性度表现。其最大输出功率可达 100 W,适用于需要高功率放大的无线基础设施应用。器件的增益在 900 MHz 频段下约为 16 dB,确保了信号在传输过程中的放大能力。
此外,RF7920SR 具有良好的热稳定性和较高的可靠性,可在恶劣环境下稳定工作。其气腔陶瓷封装设计有助于提高散热性能,延长器件使用寿命。该器件支持 50Ω 输入阻抗匹配,简化了外围电路设计,降低了匹配网络的复杂性。
RF7920SR 主要应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站(GSM、CDMA、WCDMA、LTE)、广播发射机、雷达系统、工业加热设备和射频测试设备。由于其工作频率范围覆盖 850 MHz 至 940 MHz,并具备高输出功率和高效率特性,该器件特别适合需要高功率放大和稳定性能的系统设计。
在无线基站中,RF7920SR 可作为主功率放大器,提供高效的射频信号放大,支持多种通信标准。在广播系统中,可用于发射高频信号,确保信号覆盖范围广且清晰。此外,该器件也可用于工业加热和等离子体生成等特殊应用,提供稳定的射频能量输出。
NXP MRF151G, Cree CGH40010F, STMicroelectronics STD120N4LLF