M3SW-2-50DR+ 时间：2025/12/28 12:19:07 阅读：12

M3SW-2-50DR+ 是一款由M/A-COM（现为MACOM Technology Solutions）制造的射频开关（RF Switch）芯片。该器件属于高性能的PIN二极管开关，适用于需要在不同射频信号路径之间切换的应用场景。M3SW-2-50DR+ 是一款双刀双掷（DPDT，Double-Pole Double-Throw）开关，能够在50Ω系统中工作，适用于高频和微波应用。

参数

频率范围：DC至6GHz
　　插入损耗：典型值0.3dB（频率低于2GHz时）
　　隔离度：典型值50dB @ 2GHz
　　功率处理能力：平均功率100W，峰值功率500W
　　VSWR：典型值1.2:1
　　工作电压：28V DC
　　控制电压：+5V 和 -5V
　　封装类型：12引脚陶瓷扁平封装
　　温度范围：-55°C至+125°C

特性

M3SW-2-50DR+ 射频开关具有优异的射频性能和高可靠性，适合于多种高频应用场景。该开关采用PIN二极管结构，提供低插入损耗和高隔离度，确保信号传输的稳定性和最小的信号干扰。其双刀双掷（DPDT）结构允许同时切换两个独立的射频路径，提高了系统的灵活性和功能性。
　　该器件的功率处理能力较强，能够承受较高的平均功率和峰值功率，适用于需要处理大功率信号的应用，如雷达、通信基站和测试设备。此外，M3SW-2-50DR+ 的工作电压为28V，控制电压为+5V和-5V，适用于标准的TTL或CMOS逻辑电平控制，便于集成到各种电子系统中。
　　封装方面，M3SW-2-50DR+ 采用12引脚陶瓷扁平封装，具有良好的热管理和高频性能。其工作温度范围宽，从-55°C到+125°C，使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于航空航天、军事和工业领域。

应用

M3SW-2-50DR+ 主要应用于需要在不同射频路径之间切换的系统中，如通信基站、雷达系统、测试和测量设备、射频功率放大器、无线基础设施和工业控制系统。其双刀双掷结构使其能够同时控制多个信号路径，适用于多工器、多路复用器和天线切换系统。此外，其高功率处理能力和宽频率范围也使其成为大功率射频开关应用的理想选择。