SPB70N10L是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件专为高效开关和低导通损耗应用设计,适用于广泛的电力电子领域。它采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高电流和高电压环境下稳定运行。
SPB70N10L的工作电压为100V,额定电流为70A,其卓越的电气性能使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。此外,该器件还具备出色的热特性和可靠性,能够适应严苛的工作环境。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:70A
导通电阻:3.5mΩ(典型值)
栅极电荷:29nC(典型值)
输入电容:2400pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
SPB70N10L的核心特点是其超低的导通电阻,这使得器件在大电流应用中表现出色,并能有效降低功耗。同时,其快速的开关速度有助于减少开关损耗,提升整体效率。
该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持优异的性能。其坚固的设计和宽广的工作温度范围,进一步提升了其在各种应用场景中的可靠性和耐用性。
此外,SPB70N10L的封装形式TO-247提供了良好的散热性能,使其非常适合需要高效散热的电力转换设备。
SPB70N10L广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动器
3. 逆变器
4. 工业控制
5. 太阳能逆变系统
6. 电动车辆牵引逆变器
7. 各种类型的DC-DC转换器
这款器件凭借其低导通电阻和快速开关能力,在这些应用中实现了高效的功率转换和控制。
SPB75N10LC, IRFB740PBF, FDP75N10A