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SPB70N10L 发布时间 时间:2025/6/25 16:43:20 查看 阅读:8

SPB70N10L是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件专为高效开关和低导通损耗应用设计,适用于广泛的电力电子领域。它采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高电流和高电压环境下稳定运行。
  SPB70N10L的工作电压为100V,额定电流为70A,其卓越的电气性能使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。此外,该器件还具备出色的热特性和可靠性,能够适应严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:29nC(典型值)
  输入电容:2400pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

SPB70N10L的核心特点是其超低的导通电阻,这使得器件在大电流应用中表现出色,并能有效降低功耗。同时,其快速的开关速度有助于减少开关损耗,提升整体效率。
  该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持优异的性能。其坚固的设计和宽广的工作温度范围,进一步提升了其在各种应用场景中的可靠性和耐用性。
  此外,SPB70N10L的封装形式TO-247提供了良好的散热性能,使其非常适合需要高效散热的电力转换设备。

应用

SPB70N10L广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动器
  3. 逆变器
  4. 工业控制
  5. 太阳能逆变系统
  6. 电动车辆牵引逆变器
  7. 各种类型的DC-DC转换器
  这款器件凭借其低导通电阻和快速开关能力,在这些应用中实现了高效的功率转换和控制。

替代型号

SPB75N10LC, IRFB740PBF, FDP75N10A

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SPB70N10L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)240 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4540 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB