型号：75N10
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：75A
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：约7.5mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

75N10 MOSFET具有多个关键特性，使其成为高性能功率电子应用的理想选择。
　　首先，该器件的最大漏源电压为100V，最大漏极电流为75A，这使得它能够在高压和高电流条件下可靠工作。此外，75N10的导通电阻（Rds(on)）非常低，通常在7.5mΩ左右，这意味着在导通状态下的功率损耗较小，提高了系统的整体效率。
　　其次，75N10采用了先进的沟道技术和封装工艺，具有良好的热稳定性和较高的热阻能力，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，便于与各种控制电路兼容。
　　另外，75N10具有较高的开关速度，能够快速切换工作状态，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。同时，该器件具有较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
　　最后，75N10的TO-220封装形式便于安装和散热，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。

75N10 MOSFET由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻，被广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，75N10常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。它也适用于电池充电器、太阳能逆变器和UPS系统等应用，提供高效的能量转换。
　　在电机控制领域，75N10可以作为电机驱动器的功率开关，用于直流电机、步进电机和无刷电机的控制电路中，实现精确的速度和方向控制。
　　此外，该器件还广泛应用于负载开关电路，如LED照明驱动、工业自动化设备和电动工具等场合，提供快速的开关控制和高效的功率传输。
　　在汽车电子领域，75N10可用于车载电源管理系统、车载逆变器、车载充电模块等，满足汽车电子系统对高可靠性和高效率的需求。
　　总之，75N10 MOSFET凭借其卓越的电气性能和广泛的适用性，成为众多功率电子设计中的核心元件。

IRF1404, STP75NF75, FDP75N10, NTD75N10