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2SK2759-01R 发布时间 时间:2025/8/9 16:52:41 查看 阅读:35

2SK2759-01R 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛用于高频率开关应用中,尤其是在DC-DC转换器和电源管理电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于便携式设备、计算机电源系统以及各类高效率电源转换器。该器件采用SOP(小外形封装)设计,体积小巧,便于在高密度电路板上安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):4A
  漏极-源极击穿电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大45mΩ @ VGS=10V
  功率耗散:1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOP-8

特性

2SK2759-01R MOSFET具有多项优异特性,适合高效率电源管理应用。
  首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))最大仅为45毫欧姆,在VGS=10V条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压能力(VDS=30V)和额定漏极电流为4A,使其适用于多种中低功率电源转换器,如DC-DC降压或升压电路。
  其次,该MOSFET采用先进的沟槽结构技术,具有快速开关性能,从而减少了开关损耗,并支持高频操作,提高了电源系统的响应速度和稳定性。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定运行,适用于环境温度较高的应用场景。
  再者,2SK2759-01R采用SOP-8小型封装,便于自动化装配和高密度布局,适合现代电子设备对空间和尺寸的严格要求。其封装设计也具备良好的散热性能,有助于维持器件在高负载下的可靠性。
  最后,该MOSFET具备高栅极绝缘强度(VGS=±20V),可防止因过电压导致的栅极击穿,提升器件的耐用性和长期运行的稳定性。

应用

2SK2759-01R MOSFET主要应用于以下领域:
  1. **电源管理电路**:如DC-DC转换器、同步整流器、电压调节器等,用于提高电源转换效率并减小电路体积。
  2. **电池供电设备**:包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机及其他便携式电子产品,用于高效能电源管理。
  3. **负载开关与电源控制**:适用于需要高可靠性和低导通损耗的负载开关电路,如电源分配系统和智能电池管理模块。
  4. **电机驱动电路**:用于小型电机控制、步进电机驱动或直流电机的H桥驱动电路中,提供快速响应和高效能切换。
  5. **工业自动化设备**:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源模块、测试测量仪器等,满足高可靠性与高效率的需求。

替代型号

Si2302DS, AO3400, FDS6680, 2SK3019

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