SPB46N03 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于各种开关和功率转换应用。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
SPB46N03 通常用于需要高效率和高性能的场景,例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 SOT-223,有助于散热和简化电路板设计。
最大漏源电压:40V
最大栅极源极电压:±20V
连续漏极电流:18A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗:90W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:SOT-223
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代高效能功率转换器。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向二极管,优化了同步整流和续流应用中的性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局与散热管理。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流 MOSFET。
2. DC-DC 转换器中作为高边或低边开关元件。
3. 电机驱动应用中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. LED 驱动器及电池管理系统中的功率传输控制。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP55N06L
AO3400
STP36NF06L