3N289是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高电压和高电流处理能力的开关和功率放大应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点,适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
漏源极击穿电压(VDS):60V
栅源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.28Ω
功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
3N289具有出色的导通性能和较高的电流承载能力,使其在中高功率应用中表现优异。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件的封装设计(通常为TO-220或TO-3P)提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关电路,同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。3N289常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备中。
3N289主要应用于电源管理、开关稳压器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化控制和消费类电子产品中的功率开关电路。由于其高可靠性和良好的热性能,也适用于需要长时间运行的工业设备和电源模块。
IRF540N, FQP10N60, 2N6764