时间：2025/9/2 17:35:02
阅读：28
3N289是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高电压和高电流处理能力的开关和功率放大应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.28Ω
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
3N289具有出色的导通性能和较高的电流承载能力，使其在中高功率应用中表现优异。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装设计（通常为TO-220或TO-3P）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。3N289常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备中。
3N289主要应用于电源管理、开关稳压器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化控制和消费类电子产品中的功率开关电路。由于其高可靠性和良好的热性能，也适用于需要长时间运行的工业设备和电源模块。
IRF540N, FQP10N60, 2N6764
