H5DU5182ETR-E3I 时间：2025/9/2 6:35:07 阅读：16

H5DU5182ETR-E3I 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器件系列。该芯片采用先进的制造工艺，提供高速数据访问能力，适用于需要大容量内存和高性能计算的应用场景。其设计旨在满足工业级温度范围和可靠性要求，广泛用于嵌入式系统、网络设备、通信设备和消费类电子产品。

参数

容量：1Gbit
　　组织结构：128M x 8 / 64M x 16
　　电压：1.8V ± 0.15V
　　访问时间：-
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据速率：166MHz / 200MHz
　　接口类型：Parallel
　　刷新周期：64ms
　　自动刷新支持：是
　　低功耗模式：支持

特性

H5DU5182ETR-E3I DRAM芯片具备多项先进特性，使其在各种应用环境中表现出色。首先，该芯片采用1.8V低压电源供电，有助于降低功耗并提高能效，非常适合对功耗敏感的应用。其1Gbit的存储容量结合高速166MHz至200MHz的数据速率，使得该芯片能够快速响应处理器或控制器的数据请求，满足高性能系统的需求。
　　在可靠性和耐用性方面，H5DU5182ETR-E3I支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。此外，该芯片内置自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不牺牲数据完整性的前提下，显著降低系统的功耗水平，延长设备的电池寿命。
　　为了提高系统集成的灵活性，该芯片支持多种数据宽度配置（128M x 8 或 64M x 16），允许设计者根据具体需求优化内存带宽和存储密度。TSOP封装形式不仅保证了良好的电气性能，还提供了紧凑的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
　　在数据完整性和稳定性方面，H5DU5182ETR-E3I采用优化的存储单元设计和先进的纠错技术，确保在长时间运行过程中数据的准确性和稳定性，适用于对数据可靠性要求较高的工业和通信应用。

应用

H5DU5182ETR-E3I DRAM芯片广泛应用于需要高性能和低功耗存储的电子系统中。典型的应用领域包括工业控制设备、网络交换机、路由器、智能卡终端、嵌入式系统、消费类电子产品（如高清电视、机顶盒）以及便携式电子设备。由于其宽温范围和高可靠性设计，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等。