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H5DU5182ETR-E3I 发布时间 时间:2025/9/2 6:35:07 查看 阅读:4

H5DU5182ETR-E3I 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件系列。该芯片采用先进的制造工艺,提供高速数据访问能力,适用于需要大容量内存和高性能计算的应用场景。其设计旨在满足工业级温度范围和可靠性要求,广泛用于嵌入式系统、网络设备、通信设备和消费类电子产品。

参数

容量:1Gbit
  组织结构:128M x 8 / 64M x 16
  电压:1.8V ± 0.15V
  访问时间:-
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  数据速率:166MHz / 200MHz
  接口类型:Parallel
  刷新周期:64ms
  自动刷新支持:是
  低功耗模式:支持

特性

H5DU5182ETR-E3I DRAM芯片具备多项先进特性,使其在各种应用环境中表现出色。首先,该芯片采用1.8V低压电源供电,有助于降低功耗并提高能效,非常适合对功耗敏感的应用。其1Gbit的存储容量结合高速166MHz至200MHz的数据速率,使得该芯片能够快速响应处理器或控制器的数据请求,满足高性能系统的需求。
  在可靠性和耐用性方面,H5DU5182ETR-E3I支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围,确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。此外,该芯片内置自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在不牺牲数据完整性的前提下,显著降低系统的功耗水平,延长设备的电池寿命。
  为了提高系统集成的灵活性,该芯片支持多种数据宽度配置(128M x 8 或 64M x 16),允许设计者根据具体需求优化内存带宽和存储密度。TSOP封装形式不仅保证了良好的电气性能,还提供了紧凑的封装尺寸,便于在空间受限的设计中使用。
  在数据完整性和稳定性方面,H5DU5182ETR-E3I采用优化的存储单元设计和先进的纠错技术,确保在长时间运行过程中数据的准确性和稳定性,适用于对数据可靠性要求较高的工业和通信应用。

应用

H5DU5182ETR-E3I DRAM芯片广泛应用于需要高性能和低功耗存储的电子系统中。典型的应用领域包括工业控制设备、网络交换机、路由器、智能卡终端、嵌入式系统、消费类电子产品(如高清电视、机顶盒)以及便携式电子设备。由于其宽温范围和高可靠性设计,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)等。

替代型号

H5DU5182ETR-E3C、H5DU5182ETR-E3CM、H5DU5182ETR-E3CR、H5DU5182ETR-E3CL

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