时间：2025/8/16 3:21:27
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SPA2118ZSR是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET，广泛用于高效率功率转换和电源管理系统中。该器件采用增强型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性。该MOSFET特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理模块等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：18A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ（典型值）@ VGS=10V
功率耗散：125W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
技术：增强型LDMOS
SPA2118ZSR采用了先进的LDMOS工艺，具有非常低的RDS(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高温环境下工作。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，能够承受较高的瞬态能量冲击。封装形式为TO-220，散热性能良好，适用于多种功率应用。
在应用中，SPA2118ZSR可以用于高侧和低侧开关，支持同步整流和高频操作。其栅极驱动电压范围较宽，可在10V至15V之间正常工作，确保了良好的兼容性。该器件还内置了防静电保护（ESD）功能，增强了在恶劣环境中的稳定性。
SPA2118ZSR广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化控制设备。此外，该MOSFET也可用于电池充电管理系统、电源分配单元（PDU）、服务器电源模块和电动工具控制电路中。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源设计中表现出色。
IPD180N30N5, FDP18N30, IRF1405
