时间：2025/5/9 9:34:17
阅读：5
BLP065N10GL-P 是一款基于 MOSFET 技术的功率晶体管，属于 N 沟道增强型器件。它主要应用于高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-247 封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，能够在较高的工作频率下保持较低的损耗。
额定电压：100V
连续漏极电流：39A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：68nC
总电容：300pF
封装形式：TO-247
BLP065N10GL-P 的设计重点在于优化开关性能和降低传导损耗。
1. 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 25°C 下仅为 1.8mΩ，可显著减少功耗。
2. 栅极电荷较小，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在过载条件下的可靠性。
4. 极低的热阻使散热更加高效，从而支持更高的功率密度。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
该功率 MOSFET 广泛用于需要高性能开关特性的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动控制电路
3. 工业自动化设备中的功率转换模块
4. 新能源汽车充电桩的核心功率元件
5. 太阳能逆变器中的高频功率切换组件
BLP065N10LS-P, BUK6Y1H-100E
