时间：2025/6/17 16:18:18
阅读：3
SP8M10TB 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
SP8M10TB 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，这种封装方式能够有效提升散热性能，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：30nC
输入电容：760pF
开关时间：ton=15ns, toff=25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SP8M10TB 具有以下显著特点：
1，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高度稳定的电气性能，在各种环境条件下表现出优异的可靠性。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
5. 小巧紧凑的封装设计，便于 PCB 布局和安装。
SP8M10TB 可以广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各类消费电子设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气性能和封装优势，SP8M10TB 成为了众多工程师在设计高效能功率转换电路时的首选器件。
IRF840,
STP8NK60Z,
FDP5500,
AO3400
