LMUN2112T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于高频率放大和开关应用,具有优异的高频性能和低噪声特性,广泛应用于射频(RF)电路、通信设备、音频放大器和各种消费类电子产品中。LMUN2112T1G 采用 SOT-23 封装,适合表面贴装工艺,具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功率耗散(PD):200mW
最大工作频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110 - 800(根据不同档位)
封装类型:SOT-23
LMUN2112T1G 具备多项优异特性,使其在高频应用中表现出色。首先,其最大工作频率(fT)可达 100MHz,适合用于射频放大器和高速开关电路。其次,该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800,可根据具体应用选择合适的档位,提供灵活的设计支持。此外,该器件具有较低的噪声系数,适用于音频放大和前置放大器电路。LMUN2112T1G 的 SOT-23 小型封装不仅节省空间,还便于自动化生产和表面贴装,提高了整体系统的可靠性。该晶体管的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))较低,有助于减少功率损耗,提高能效。同时,其良好的热稳定性和抗静电能力,使其在各种工作环境下均能保持稳定性能。
在制造工艺方面,LMUN2112T1G 采用先进的硅外延工艺,确保了晶体管的高一致性与良品率。其内部结构优化设计,有效降低了寄生电容,提升了高频响应能力。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,无铅封装,适用于现代环保电子产品设计。
LMUN2112T1G 主要应用于高频放大器、射频(RF)模块、无线通信设备、音频放大电路、传感器接口电路、开关电路以及各类消费类电子设备。由于其高频特性和低噪声表现,该晶体管特别适合用于无线发射与接收前端电路中的信号放大。例如,在蓝牙模块、Wi-Fi 收发器、FM 收音机调谐器、遥控器发射电路中,LMUN2112T1G 均可发挥重要作用。此外,在工业控制、自动化仪表、电源管理电路中,该晶体管也可作为高效开关使用。在音频设备中,它常用于前置放大器、麦克风放大器等低噪声信号放大环节。凭借其紧凑的 SOT-23 封装,该晶体管也广泛用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。
BC847, 2N3904, BFQ59, MMBF4117