时间：2025/5/23 22:07:59
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500R07S2R1BV4T 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于 RB 系列。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于开关电源、DC/DC 转换器以及其他需要高效功率控制的电路。其设计优化了导通电阻和开关性能，适合高效率和高可靠性应用。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：5A
导通电阻：2.1Ω
栅极电荷：28nC
总功耗：2W
工作温度范围：-55℃至+175℃
500R07S2R1BV4T 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 700V 的漏源电压，能够适应各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（2.1Ω），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 优化的栅极电荷特性，可实现快速开关和减少开关损耗。
4. 采用 TO-263 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. DC/DC 转换器的核心元件，用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业设备中的高压开关应用。
5. 各类家电产品中的负载控制模块。
RB070050NS2,
IRFP260N,
FDP17N50,
STP10NK50Z
