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SP8K2FU6TB 发布时间 时间:2025/11/8 1:15:25 查看 阅读:9

SP8K2FU6TB是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据接口和敏感电子电路的静电放电(ESD)保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的电容、快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于多种通信端口和信号线的过压保护。SP8K2FU6TB属于表面贴装型封装器件,体积小巧,适合在空间受限的印刷电路板上使用,广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及便携式设备中。
  该器件内部集成了多个TVS二极管,能够对多条信号线提供双向或单向的过压保护,具体取决于其内部结构配置。它能在极短时间内将瞬态高压脉冲钳位到安全水平,从而防止下游集成电路因遭受ESD、电快速瞬变(EFT)或其他电磁干扰而导致损坏。SP8K2FU6TB符合国际主流的安全与可靠性标准,如IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等,确保在严苛电磁环境下的稳定运行。

参数

型号:SP8K2FU6TB
  制造商:Littelfuse
  通道数:2
  工作电压(VRWM):2.5V
  击穿电压(VBR):最小3.0V,典型值3.5V
  最大钳位电压(VC @ IPP):9.0V
  峰值脉冲电流(IPP):2A
  电容值(C):典型值30pF
  封装形式:SOT-23-6
  保护类型:双向
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  ESD耐受能力:±15kV(接触放电),符合IEC61000-4-2 Level 4
  EFT耐受能力:符合IEC61000-4-4
  反向关断电压:2.5V
  响应时间:小于1ns

特性

SP8K2FU6TB具备卓越的瞬态电压抑制性能,其核心优势在于低工作电压与低电容特性的结合,使其非常适合用于保护现代高速数字接口,例如USB 2.0、HDMI、SD卡接口、音频线路以及其他低电压逻辑信号线。该器件的工作电压仅为2.5V,可兼容1.8V至3.3V的供电系统,在不影响信号完整性的情况下实现有效保护。其典型电容值仅为30pF,显著降低了高频信号传输中的失真与衰减,确保数据传输的稳定性与可靠性。
  该TVS阵列具有双向保护功能,能够应对正负方向的瞬态过压事件,特别适用于交流耦合或双极性信号路径的应用场景。其超快响应时间小于1纳秒,能够在静电放电发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地,避免敏感IC受到损害。同时,器件可承受高达2A的峰值脉冲电流,并能多次经受IEC61000-4-2规定的±15kV接触放电测试而不发生性能退化,展现出优异的耐用性和长期可靠性。
  采用SOT-23-6小型化封装,SP8K2FU6TB不仅节省PCB布局空间,还便于自动化贴片生产,提升了制造效率。该封装具备良好的热传导性能,有助于在大电流瞬变期间散热,维持器件稳定性。此外,产品无铅且符合RoHS环保要求,适用于绿色电子产品设计。整体而言,SP8K2FU6TB是一款高性能、高集成度的ESD保护解决方案,兼顾电气性能、物理尺寸与环境适应性,是现代电子系统中不可或缺的防护元件。

应用

SP8K2FU6TB广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子设备中,典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的高速数据接口保护,如USB端口、耳机插孔、microSD卡槽等;也可用于工业通信模块、传感器接口、人机交互面板以及便携式医疗设备中的信号线路防护。由于其低电容和快速响应特性,特别适合用于高速差分信号线或模拟音频信号路径中,防止因人体接触或电缆插拔引起的静电损伤。此外,该器件也常被用于汽车电子中的辅助信息娱乐系统接口保护,以满足车载环境中严格的EMI和可靠性要求。

替代型号

SP8K2U6BA
  SP8K2U6BT
  SPHV2_2S5U6CT

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SP8K2FU6TB参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)