时间：2025/12/26 12:23:45
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DMC1018UPD-13是一款由Diodes Incorporated生产的双P沟道增强型MOSFET，采用先进的高密度沟槽工艺制造，专为高性能电源管理应用设计。该器件集成两个相同的P沟道MOSFET于单一封装中，适用于需要高效率、小尺寸和低功耗的便携式电子设备与电源开关系统。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、优化的栅极电荷以及良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。DMC1018UPD-13采用无铅环保的SOT-723封装，符合RoHS标准，适合自动化表面贴装工艺，在空间受限的应用中具有显著优势。该器件广泛用于电池供电设备中的负载开关、电源路径管理、热插拔控制以及DC-DC转换器等场合。由于其对称的双通道结构，也可用于桥式或互补驱动电路中，提供灵活的设计选择。此外，该MOSFET在栅源电压VGS为-4.5V和-2.5V下均表现出优异的导通性能，使其兼容多种逻辑电平控制信号，增强了系统的通用性和适应性。
型号：DMC1018UPD-13
类型：双P沟道MOSFET
封装：SOT-723
通道数：2
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-1.8A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
导通电阻(RDS(on))_max @ VGS = -4.5V：35mΩ
导通电阻(RDS(on))_max @ VGS = -2.5V：50mΩ
栅极阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
栅极电荷(Qg)：3.5nC @ VDS = -10V, ID = -1.8A
输入电容(Ciss)：220pF @ VDS = -10V
反向恢复时间(trr)：16ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(θJA)：250°C/W
热阻结到外壳(θJC)：90°C/W
DMC1018UPD-13采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能，特别适用于对功耗敏感的便携式电子产品。其双P沟道结构在-4.5V栅压下的最大导通电阻仅为35mΩ，而在更低的-2.5V逻辑电平下也能保持在50mΩ以内，这使得它能够高效地应用于3.3V或2.5V供电系统中，有效减少功率损耗并提升整体能效。
该器件具有非常低的栅极电荷（Qg典型值为3.5nC），有助于降低驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而减少开关过程中的能量损失，提高电源转换效率。同时，较低的输入电容（Ciss约220pF）也减小了对前级驱动电路的负载影响，提升了高频工作的可行性。对于需要频繁启停或动态调节的应用场景，如移动设备中的电源管理单元，这种特性尤为重要。
DMC1018UPD-13具备良好的热稳定性和可靠性，其最大工作结温可达+150°C，并配备合理的热阻参数（θJA=250°C/W，θJC=90°C/W），确保在紧凑布局条件下仍能安全运行。器件的栅极阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，保证了稳定的开启与关断行为，避免因阈值漂移导致的误动作。此外，其快速的反向恢复时间（trr=16ns）降低了体二极管反向恢复带来的电流尖峰风险，提高了系统在感性负载下的鲁棒性。
SOT-723超小型封装不仅节省PCB空间，还支持高密度组装，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等对体积要求严苛的产品。整个器件符合无铅和RoHS环保规范，生产流程通过AEC-Q101认证，适用于工业级和消费类应用场景。
便携式电子设备中的电源开关与负载管理
电池供电系统的电源路径控制
DC-DC降压变换器中的同步整流或高端开关
热插拔控制器与过流保护电路
手持设备中的背光驱动与模块供电控制
USB电源开关及接口保护电路
低电压逻辑电平转换与信号切换应用
DMG1018U-7
