时间：2025/6/28 12:51:49
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RF15N0R2A101CT 是一款射频 (RF) 用的功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件主要应用于高频、高效率的功率转换电路中，适合于射频功放、开关电源、负载开关等场景。它采用了先进的半导体制造工艺，能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能。
该型号的命名规则包含了一些关键参数信息，例如导通电阻值、封装类型等。RF15N0R2A101CT 具备出色的电气性能和可靠性，适用于多种工业和通信领域。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：17A
导通电阻：2mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1680pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RF15N0R2A101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低传导损耗并提升效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。
4. 小型化设计，采用标准 TO-220 封装，易于集成到各种电路板中。
5. 高耐压能力，能够承受高达 50V 的漏源电压，确保在高压环境下的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
RF15N0R2A101CT 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器 (RF PA)，用于无线通信设备。
2. 开关电源 (SMPS)，作为主开关管或同步整流管。
3. DC-DC 转换器，提供高效能量转换。
4. 负载开关和保护电路，用于控制电流流动。
5. 工业电机驱动和逆变器系统，实现精确的功率控制。
6. 通信基站和其他需要高效率、高可靠性的射频应用。
RF15N0R2A100CT, RF15N0R2A102CT
