时间：2025/8/2 8:28:16
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SI1865DDL-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix设计的双N沟道增强型MOSFET，采用TSSOP封装形式，具有高性能和紧凑的设计，适用于高效率电源管理和负载开关应用。这款器件以其优异的导通电阻和快速开关特性而闻名，能够提供可靠的功率控制能力。
类型：双N沟道增强型MOSFET
封装类型：TSSOP
导通电阻（Rds(on)）：最大值15mΩ（典型值可能更低）
漏极电流（Id）：20A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
功耗（Pd）：1.4W
封装尺寸：3mm x 3mm
安装类型：表面贴装
技术特性：沟槽型MOSFET
SI1865DDL-T1-GE3采用了先进的沟槽MOSFET技术，实现了超低导通电阻，同时保持了高开关速度，从而降低了开关损耗。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高功率密度的应用。其TSSOP封装形式使其适合空间受限的设计，同时保证了优异的电气性能和机械稳定性。此外，SI1865DDL-T1-GE3具有出色的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在严苛的工作条件下提供长期的稳定运行。
该MOSFET还具备低栅极电荷（Qg）特性，有助于减少驱动电路的功耗，提高系统效率。其快速的上升和下降时间确保了在高频开关应用中的优异表现，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统等多种应用场景。此外，该器件的双N沟道结构设计允许其在并联应用中提供更高的电流能力，进一步扩展了其适用范围。
SI1865DDL-T1-GE3广泛应用于各种电源管理系统，包括笔记本电脑、服务器、电源适配器和工业控制设备。它适用于高效DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机控制以及电池管理系统。此外，该器件也常用于高频率开关电源和需要低导通损耗与快速响应的电子设备中。
Si8865EDB-T1-GE3, Si1865EDL-T1-E3
