SP25ATPA5-R 是一款由 ON Semiconductor 提供的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬变的影响。该器件具有超低电容特性,适用于高速数据线和高频信号线的保护。
而 KMN5X000ZM-B209 是一款由富士电机生产的 IGBT 模块,广泛应用于逆变器、变频器和其他功率转换设备中,用于高效率地控制大电流和高电压。
请注意:这两个型号为完全不同的元器件,以下分别介绍。
工作电压:5V
峰值脉冲功率:600W(典型值)
响应时间:1ps(典型值)
结电容:4.8pF(最大值,@0V)
漏电流:±1μA(最大值,@VRWM)
封装形式:SOT-363
SP25ATPA5-R 具有非常低的电容特性,这使得它非常适合用于高速接口线路的保护,例如 USB 2.0、USB 3.0、HDMI 等。
其极快的响应时间和高浪涌能力可以有效防止 ESD 和其他瞬态电压对电路造成损害。
此外,它的小型化封装使其非常适合于空间受限的应用场景。
集电极-发射极额定电压:1700V
额定电流:50A
开关频率:高达 1kHz
热阻:0.15°C/W
封装形式:模块式封装
控制方式:门极驱动
KMN5X000ZM-B209 是一种高效的大功率 IGBT 模块,适合高压和大电流应用。它具备高耐压能力和低导通损耗,能够显著提高系统的能量转换效率。
此模块采用先进的绝缘技术以确保在极端环境下的可靠运行,并且其模块化设计简化了安装与维护过程。
它广泛应用于工业驱动、太阳能逆变器以及风能发电系统等需要高效功率转换的领域。
SP25ATPA5-R:消费类电子产品中的高速数据线保护,如手机、平板电脑、笔记本电脑和电视等。
-B209:工业变频器、电动汽车牵引逆变器、光伏逆变器及其他高功率应用。
SP25ATPA5-R 替代型号:PESD5V0S1B
KMN5X000ZM-B209 替代型号:FF50R17ME4