您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF530STRLPBF

IRF530STRLPBF 发布时间 时间:2023/3/10 13:58:40 查看 阅读:497

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:160 毫欧 @ 8.4A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :670pF @ 25V

    功率 - 最大:88W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:D2Pak,TO-263(2 引线 + 接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:TO-263AB


资料

厂商
VISHAY

IRF530STRLPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF530STRLPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF530STRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK(SMD-220)
  • 包装带卷 (TR)