类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：34A
　　导通电阻（RDS(on)）：68mΩ
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

BSFZ68G65 MOSFET具有多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效；其高耐压能力（650V VDS）使其适用于高压电源转换系统；该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。
　　此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关电路，减少开关损耗，提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，并具有良好的热稳定性，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　在安全方面，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。此外，它还具有较低的热阻（RθJC），有助于提高热管理效率，延长器件使用寿命。

BSFZ68G65 MOSFET广泛应用于多种高功率和高频电力电子系统。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车（EV）充电设备等。
　　在开关电源中，该器件用于主开关拓扑，如半桥、全桥或LLC谐振转换器，以实现高效能和小型化设计；在电机控制中，可用于H桥结构实现高效的PWM控制；在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统，BSFZ68G65的高耐压和低导通电阻特性有助于提升能量转换效率。
　　由于其优良的热性能和可靠性，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器和电池管理系统，满足AEC-Q101标准要求。

SiHP068N65FD, FCH068N65F, STY68N65M5