SO2939F-EL 是一款由 Silicon On Insulator (SOI) 技术制造的高性能射频(RF)开关芯片,广泛用于无线通信系统中,支持多频段操作和高频信号的切换。该芯片设计用于满足现代通信设备对高线性度、低插入损耗和高隔离度的需求。
工作频率范围:DC - 3 GHz
插入损耗:典型值0.25 dB @ 2 GHz
隔离度:典型值35 dB @ 2 GHz
VSWR:1.25:1(典型)
控制电压:1.8V - 3.3V兼容
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
封装类型:TQFN-16
SO2939F-EL 是一款采用先进的 SOI 工艺制造的单刀双掷(SPDT)射频开关,具有出色的射频性能和良好的线性度。其主要特点包括低插入损耗和高隔离度,这使得它非常适合用于多频段切换和天线切换应用。
这款芯片的控制接口支持 1.8V 至 3.3V 的逻辑电平,便于与各种数字控制器或基带处理器进行接口连接。此外,其宽频带特性使其适用于从低频到高达 3 GHz 的射频系统,包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他无线应用。
SO2939F-EL 的结构设计确保了其在高功率条件下的稳定运行,并具有良好的 ESD(静电放电)保护能力。芯片采用 TQFN-16 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 布局。
此外,该器件具有良好的温度稳定性,在 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围内性能保持一致,适用于工业级和汽车级应用环境。
SO2939F-EL 主要用于需要高性能射频开关的无线通信设备中,如智能手机、平板电脑、无线接入点、基站、射频测试设备和汽车通信系统。它也适用于需要多频段切换和天线切换的系统中,以提高设备的射频性能和灵活性。
PE42691, HMC642, SKY13407-375LF