您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > WT5075F

WT5075F 发布时间 时间:2025/12/26 13:23:22 查看 阅读:19

WT5075F是一款由深圳勤基微电子有限公司(或相关品牌)推出的高效率、低功耗的同步整流控制器芯片,主要用于反激式(Flyback)开关电源拓扑中的次级侧同步整流控制。该芯片通过检测功率MOSFET的漏源极电压(VDS)来智能判断导通与关断时机,从而替代传统的肖特基二极管整流方案,显著提升电源转换效率,降低系统温升,满足各类高能效电源适配器、充电器及小功率电源模块的设计需求。WT5075F采用专有的自适应开通与关断技术,能够在复杂的负载变化和线路波动条件下稳定工作,有效防止误触发和误导通,确保系统的高可靠性。该芯片支持宽范围输入电压应用,并具备多种保护机制,如过温保护、欠压锁定(UVLO)等,提升了整体电源系统的安全性和稳定性。其封装形式通常为SOT-23-6或类似小型化封装,便于在紧凑型PCB布局中使用,适用于追求高功率密度和高效率的AC-DC电源设计场景。

参数

工作电压范围:4.5V ~ 18V
  启动电流:<50μA
  工作电流:<250μA
  关断阈值电压(VDS_OFF):典型值约30mV
  导通阈值电压(VDS_ON):典型值约80mV
  最大驱动能力:可驱动N沟道MOSFET,栅极驱动电压接近VDD
  响应时间:开通延迟<100ns,关断延迟<150ns
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:SOT-23-6

特性

WT5075F的核心特性在于其基于VDS检测的高精度同步整流控制技术,能够实时监测同步整流MOSFET的漏源电压变化,精确识别电流过零点,实现快速且可靠的开关动作。该芯片内置自适应延时控制电路,可根据不同的工作条件动态调整开通与关断的判定阈值和延迟时间,有效避免在高频开关噪声干扰下产生误触发,尤其是在轻载或空载工况下仍能保持稳定运行,极大提升了系统的抗干扰能力和可靠性。
  此外,WT5075F具备优异的低功耗设计,静态工作电流低于250μA,启动电流更低于50μA,非常适合对待机功耗有严格要求的能源之星或DoE VI标准电源产品。芯片内部集成完善的保护功能,包括欠压锁定(UVLO),当VDD电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止MOSFET因驱动不足而进入线性区导致过热;同时具备过温保护机制,在芯片结温过高时自动降频或关闭输出,保障系统安全。
  该器件支持宽输入电压范围(4.5V~18V),可兼容多种不同规格的次级绕组供电设计,增强了设计灵活性。其高速响应能力(开通延迟小于100ns)确保在高频反激拓扑中仍能实现高效整流,适用于65kHz以上开关频率的应用场景。WT5075F采用SOT-23-6小型封装,引脚布局优化,便于PCB布线,并减少寄生电感影响,有助于提升EMI性能。整体设计简洁,外围无需复杂元件,仅需少量无源器件即可完成完整同步整流电路搭建,降低了整体BOM成本和设计难度。

应用

WT5075F广泛应用于各类中小功率AC-DC开关电源中,作为次级侧同步整流控制器,典型应用场景包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等消费类电子产品配套的USB充电器,输出功率一般在5W至30W之间。由于其高效率和小体积特性,特别适合用于追求高功率密度的超薄电源适配器设计。此外,该芯片也适用于智能家居设备、IoT终端、无线路由器、LED照明电源等对能效和可靠性有较高要求的嵌入式电源系统。
  在反激式电源拓扑中,WT5075F通常配合初级侧PWM控制器(如OB2283、IP2025、LNK626等)协同工作,构成完整的准谐振或QR/CCM/DCM混合模式高效电源方案。其出色的轻载效率表现使其成为满足国际能效标准(如Energy Star、CoC Tier 2、DoE Level VI)的理想选择。在USB PD或QC快充普及的背景下,尽管WT5075F多用于单路输出非协议电源,但在多口充电器的辅路或恒压输出通道中仍有广泛应用空间。此外,工业类小功率电源模块、继电器电源、隔离式DC-DC模块的副边整流部分也可采用该芯片以提升整体效率并降低散热需求。

替代型号

WT5075

WT5075F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价