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NS12575T100MNV 发布时间 时间:2025/5/12 8:51:39 查看 阅读:3

NS12575T100MNV 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高效能开关和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于多种工业和消费类电子设备。

参数

型号:NS12575T100MNV
  类型:N 沯道 MOSFET
  封装:TO-247-3
  最大漏源电压 (VDS):100V
  最大栅源电压 (VGS):±20V
  连续漏极电流 (ID):75A
  导通电阻 (RDS(on)):4.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  功耗:360W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  栅极电荷 (Qg):88nC
  反向恢复时间 (trr):90ns

特性

NS12575T100MNV 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on))使其在高电流应用中表现出色,可有效减少功率损耗。
  2. 高效率的开关性能,得益于其快速的开关速度和低栅极电荷。
  3. 良好的热性能,能够承受高功率负载,适用于严苛的工作环境。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端条件下的稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得该器件非常适合于各种大功率应用场景,如开关电源、电机驱动、逆变器等。

应用

NS12575T100MNV 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 工业逆变器及不间断电源系统(UPS)。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  5. 电动车和混合动力汽车的电力管理系统。
  由于其高效率和稳定性,这款 MOSFET 成为众多高性能功率转换应用的理想选择。

替代型号

NTMFS4828N, IRFZ44N

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NS12575T100MNV参数

  • 现有数量2,995现货
  • 价格1 : ¥14.39000剪切带(CT)500 : ¥7.51028卷带(TR)
  • 系列NS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感10 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)5.55 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)7.65A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)18.72 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振21.5MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.492" 长 x 0.492" 宽(12.50mm x 12.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.309"(7.85mm)