NS12575T100MNV 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高效能开关和电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于多种工业和消费类电子设备。
型号:NS12575T100MNV
类型:N 沯道 MOSFET
封装:TO-247-3
最大漏源电压 (VDS):100V
最大栅源电压 (VGS):±20V
连续漏极电流 (ID):75A
导通电阻 (RDS(on)):4.5mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗:360W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
栅极电荷 (Qg):88nC
反向恢复时间 (trr):90ns
NS12575T100MNV 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(RDS(on))使其在高电流应用中表现出色,可有效减少功率损耗。
2. 高效率的开关性能,得益于其快速的开关速度和低栅极电荷。
3. 良好的热性能,能够承受高功率负载,适用于严苛的工作环境。
4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端条件下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使得该器件非常适合于各种大功率应用场景,如开关电源、电机驱动、逆变器等。
NS12575T100MNV 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 工业逆变器及不间断电源系统(UPS)。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 电动车和混合动力汽车的电力管理系统。
由于其高效率和稳定性,这款 MOSFET 成为众多高性能功率转换应用的理想选择。
NTMFS4828N, IRFZ44N