时间：2025/8/22 9:49:20
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SMV2203-040LF 是一款由 Skyworks Solutions 生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大器（LNA）应用。该器件采用增强型 pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）技术，提供高增益、低噪声系数和良好的线性性能。SMV2203-040LF 是一种表面贴装封装的射频晶体管，适用于无线基础设施、通信设备、测试仪器和宽带放大器系统。该器件不含铅（RoHS 合规），适合工业级温度范围使用。
器件类型：GaAs pHEMT FET
晶体管类型：增强型pHEMT
频率范围：DC至4 GHz
增益：16.5 dB @ 2 GHz
噪声系数：0.45 dB @ 2 GHz
输出IP3：34 dBm @ 2 GHz
漏极电流（ID）：60 mA @ VDS = 3 V
工作电压：3 V至5 V
封装类型：SOT-89
阻抗：50Ω
输入回波损耗：12 dB @ 2 GHz
输出回波损耗：15 dB @ 2 GHz
SMV2203-040LF 是一款专为低噪声放大应用设计的高性能 GaAs pHEMT 晶体管。该器件采用了先进的伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，具备低噪声系数（典型值为 0.45 dB 在 2 GHz）、高增益（16.5 dB 在 2 GHz）以及出色的线性度（输出三阶交调截点 IP3 为 34 dBm）。这些特性使其非常适合用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）设计，尤其是在基站、宽带接入设备和测试测量仪器中。
该晶体管的工作频率范围覆盖从 DC 到 4 GHz，使其适用于多种射频应用，包括 GSM、CDMA、WCDMA、WiMAX 和 LTE 等通信标准。其漏极电流在 3 V 电压下为 60 mA，工作电压范围为 3 V 至 5 V，提供了良好的电源灵活性，便于设计人员根据系统需求进行优化。
SMV2203-040LF 采用 SOT-89 封装，具有小型化、轻量化和易于集成的特点。该封装也支持表面贴装技术（SMT），提高了制造效率和系统可靠性。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含有害物质，适用于环保型电子设备设计。
该晶体管的输入和输出端口具有良好的回波损耗（12 dB 输入和 15 dB 输出），有助于减少信号反射，提高系统匹配性能。同时，其高线性度和稳定性使其在多载波和宽带应用中表现出色，能够有效降低互调失真，提高接收机的灵敏度和动态范围。
SMV2203-040LF 主要用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）设计。其典型应用场景包括基站接收机、宽带无线接入设备、WiMAX、LTE、GSM、CDMA 和 WCDMA 基带收发系统、测试与测量仪器、卫星通信系统以及各种便携式和固定式射频接收设备。由于其宽频率响应和出色的噪声性能，该器件也可用于雷达系统和工业控制系统中的信号放大环节。
BFU520XR, BFP420W, ATF-54143, MGA-635P8, PSA43-7043
