时间：2025/5/27 16:29:23
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MBRF30L60CTG 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Infineon 的 MBR 系列。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的电源管理应用。其封装形式为 TO-247-3，适用于大功率场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷：95nC（典型值）
开关损耗：低
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
MBRF30L60CTG 使用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提升了系统效率。
其高电流处理能力和低栅极电荷使得该器件非常适合高频开关应用。
此外，TO-247-3 封装提供了良好的热性能，确保在高功率条件下能够稳定运行。
该器件还具有快速恢复能力，有助于减少开关过程中的能量损失。
MBRF30L60CTG 主要应用于需要高效开关和低损耗的领域，包括但不限于：
直流-直流转换器
电机驱动
太阳能逆变器
不间断电源（UPS）
焊接设备
工业自动化控制
电动车充电系统
IRFB4110PBF
STW45N60DM2
FDP177AN
IXFN40N50T
INF77N60T2G
