时间：2025/8/22 9:20:27
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SMV1255-073是一款由制造商Silicon Microwave（现为Microsemi的一部分）生产的GaAs（砷化镓）微波场效应晶体管（FET），主要用于高频、射频和微波放大器应用。该器件设计用于在C波段至Ku波段范围内工作，适用于通信、雷达、测试设备和其他高频电子系统。该晶体管采用表面贴装封装，便于在印刷电路板上安装。
类型：GaAs FET
频率范围：2 GHz至12 GHz
输出功率：典型值为5W（在10GHz时）
增益：12 dB（典型值）
漏极电流：600 mA（典型值）
漏极电压：14 V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：表面贴装（SMT）
输入和输出阻抗：50Ω
SMV1255-073具有优异的高频性能，能够在2 GHz至12 GHz的宽频率范围内提供稳定的放大功能。该器件采用GaAs材料，具有高电子迁移率和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高增益特性使其适用于低噪声放大器和中功率放大器应用。此外，该晶体管具有较高的线性度和低失真，适合用于需要高质量信号放大的系统。其表面贴装封装设计使其易于集成到现代射频电路板中，并具有良好的机械稳定性和热管理能力。
该晶体管广泛用于射频和微波通信系统、雷达设备、测试和测量仪器以及工业控制系统。其高频率和高增益特性使其成为C波段和Ku波段通信设备的理想选择。此外，该器件也可用于功率放大器、低噪声放大器以及射频信号链中的其他关键部分。
MRF151G, ATF-54143, CGH40010
