BSR302N 时间：2025/7/12 16:44:28 阅读：12

BSR302N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合高效率、高频工作的电路设计。
　　BSR302N在消费电子、工业设备和汽车电子领域均有广泛应用，其紧凑的封装形式和优良的电气性能使其成为许多工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：11A
　　导通电阻（典型值）：35mΩ
　　栅极电荷（典型值）：4.9nC
　　开关时间：ton=8ns, toff=17ns
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

BSR302N的主要特性包括：
　　1. 高效低导通电阻，能够降低功率损耗并提升系统效率。
　　2. 快速开关特性，适用于高频应用环境。
　　3. 强大的过流能力，支持高达11A的持续漏极电流。
　　4. 小型化的封装设计（如TO-252/DPAK等），便于PCB布局与散热管理。
　　5. 良好的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　6. 内置ESD保护功能，提高器件的抗静电能力。
　　7. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

BSR302N可应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压控制。
　　3. 电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机。
　　4. 各类负载开关及保护电路。
　　5. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　7. 消费电子产品中的电池充电管理电路。