类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：4A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.8Ω（最大值为2.5Ω）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-220（CS4N65A4R）和TO-252（CR4N65A4K）

CS4N65A4R/CR4N65A4K功率MOSFET具有优异的电气性能和稳定性，其低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，确保了良好的热稳定性和高可靠性。此外，CS4N65A4R和CR4N65A4K分别采用TO-220和TO-252封装形式，适用于不同的电路布局需求。
　　在结构设计上，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。CS4N65A4R/CR4N65A4K还具备良好的抗静电能力，能够在实际应用中有效防止静电击穿。
　　该器件的栅极驱动特性优化，能够在较低的栅极电压下实现快速导通和关断，适用于各种高频开关应用。此外，CS4N65A4R/CR4N65A4K的温度系数良好，能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于恶劣环境条件下的应用。

CS4N65A4R/CR4N65A4K广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和LED照明等电力电子系统中。其高可靠性和低导通电阻使其在高效率电源设计中具有重要地位。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费电子产品和汽车电子系统中的功率管理模块。

STP4NK65ZFP
　　STP4NK65AF