IR3E05A 时间：2025/8/28 5:39:33 阅读：26

IR3E05A是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高压、高速功率MOSFET驱动器集成电路，专为用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用而设计。该芯片采用标准的8引脚封装，具备强大的驱动能力和良好的抗干扰性能，能够有效驱动N沟道MOSFET或IGBT器件。IR3E05A内部集成了高端和低端驱动电路，并采用自举供电方式，适用于半桥结构的功率转换拓扑。

参数

工作电压范围：10V 至 20V
　　输出驱动电流（峰值）：1.7A（典型值）
　　高压侧浮动电压：最高可达600V
　　传播延迟时间：约10ns（典型值）
　　上升/下降时间：约8ns / 6ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：8引脚SOIC或DIP
　　输入信号兼容CMOS/TTL电平
　　具有欠压锁定保护功能（UVLO）

特性

IR3E05A采用高集成度设计，包含高端和低端两个MOSFET驱动器，适用于半桥拓扑结构。其高压侧驱动器采用浮动电源供电技术，可承受高达600V的电压，适用于高电压应用场景。该芯片具有较短的传播延迟和快速的上升/下降时间，能够提高功率转换系统的开关效率和响应速度。
　　此外，IR3E05A具备较强的抗干扰能力，能够有效防止因高频开关引起的误触发现象，提高系统的稳定性。其输入端兼容CMOS和TTL电平，便于与各种控制芯片（如MCU、PWM控制器）连接。芯片内部还集成了欠压锁定保护功能，当供电电压低于设定阈值时，自动关闭输出以防止MOSFET误操作，保护系统安全。
　　由于其紧凑的8引脚封装形式，IR3E05A非常适合用于空间受限的电源设计中，如AC-DC适配器、DC-DC转换模块、电机驱动器和UPS不间断电源等应用。