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IR3E05A 发布时间 时间:2025/8/28 5:39:33 查看 阅读:12

IR3E05A是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的高压、高速功率MOSFET驱动器集成电路,专为用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用而设计。该芯片采用标准的8引脚封装,具备强大的驱动能力和良好的抗干扰性能,能够有效驱动N沟道MOSFET或IGBT器件。IR3E05A内部集成了高端和低端驱动电路,并采用自举供电方式,适用于半桥结构的功率转换拓扑。

参数

工作电压范围:10V 至 20V
  输出驱动电流(峰值):1.7A(典型值)
  高压侧浮动电压:最高可达600V
  传播延迟时间:约10ns(典型值)
  上升/下降时间:约8ns / 6ns
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:8引脚SOIC或DIP
  输入信号兼容CMOS/TTL电平
  具有欠压锁定保护功能(UVLO)

特性

IR3E05A采用高集成度设计,包含高端和低端两个MOSFET驱动器,适用于半桥拓扑结构。其高压侧驱动器采用浮动电源供电技术,可承受高达600V的电压,适用于高电压应用场景。该芯片具有较短的传播延迟和快速的上升/下降时间,能够提高功率转换系统的开关效率和响应速度。
  此外,IR3E05A具备较强的抗干扰能力,能够有效防止因高频开关引起的误触发现象,提高系统的稳定性。其输入端兼容CMOS和TTL电平,便于与各种控制芯片(如MCU、PWM控制器)连接。芯片内部还集成了欠压锁定保护功能,当供电电压低于设定阈值时,自动关闭输出以防止MOSFET误操作,保护系统安全。
  由于其紧凑的8引脚封装形式,IR3E05A非常适合用于空间受限的电源设计中,如AC-DC适配器、DC-DC转换模块、电机驱动器和UPS不间断电源等应用。

应用

IR3E05A广泛应用于需要高效MOSFET或IGBT驱动的功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、照明驱动器以及工业自动化设备。由于其高压侧浮动电压高达600V,该芯片特别适用于半桥结构的功率转换拓扑,常与MOSFET或IGBT配合使用于电源管理模块中。

替代型号

IR2110, IR2011, IRS21844, LM5112

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