工作频率：50 MHz - 3 GHz
　　插入损耗：典型值 0.3 dB（最大 0.5 dB）
　　隔离度：典型值 45 dB（在 2 GHz 时）
　　输入功率：最大 30 dBm（连续波）
　　控制电压：0 V / +5 V TTL 兼容
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SMV1233-003 的核心特性之一是其优异的射频性能，尤其是在高频段下的稳定表现。该芯片在 50 MHz 到 3 GHz 的频率范围内保持较低的插入损耗（典型值 0.3 dB），这有助于维持信号的完整性并减少功率损失。同时，在 2 GHz 的典型隔离度达到 45 dB，这意味着它在断开状态下能有效阻止信号泄漏，提高系统的抗干扰能力。
　　另一个关键特性是其控制接口，SMV1233-003 支持 0 V 和 +5 V 的 TTL 兼容控制电压，使其能够轻松与数字控制系统集成。此外，该芯片可承受高达 30 dBm 的连续波输入功率，具备良好的功率处理能力，适用于中高功率射频应用。
　　在封装方面，SMV1233-003 使用 SOT-23 小型化封装，不仅节省空间，而且便于自动化生产和 PCB 布局。该芯片还具有宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在工业级环境条件下稳定运行。

SMV1233-003 主要应用于需要高频射频开关功能的通信系统，包括无线基站、测试测量设备、射频信号路由、天线切换系统以及工业自动化设备中的射频模块。其低插入损耗和高隔离度特性使其特别适合用于多路复用器、双工器和射频测试开关矩阵等场景。此外，该芯片也广泛用于软件定义无线电（SDR）、无线传感器网络和卫星通信系统中，提供可靠的射频信号控制能力。

HMC349LC4B, PE4209-6