制造商：STMicroelectronics
　　产品系列：PowerMESH
　　器件类型：IGBT模块
　　集电极电流IC：50A
　　集射极击穿电压BVCES：1200V
　　饱和压降VCE(sat) @ 25°C：约2.1V
　　开关时间-开通ton：约120ns
　　开关时间-关断toff：约450ns
　　续流二极管正向压降VF：约2.2V
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：压接式模块
　　配置：半桥/单管（依具体版本）
　　栅极电压范围：±20V
　　热阻Rth(j-c)：典型值0.35 K/W

PM50RSD120采用了先进的沟槽栅场截止（Trench-Field Stop）IGBT技术，这种技术通过优化电场分布显著降低了器件的导通损耗和尾电流，从而提升了整体能效。该技术还允许更高的掺杂浓度和更薄的漂移区，使得在保持1200V高阻断电压的同时实现更低的VCE(sat)，这有助于减少功率损耗并降低散热需求。此外，该模块内置的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷Qrr和软恢复特性，有效减少了二极管反向恢复过程中对IGBT造成的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统运行的稳定性和可靠性。
　　压接式封装是PM50RSD120的一大亮点，它摒弃了传统的螺钉固定方式，通过均匀的压力接触实现电气连接和热传导。这种设计不仅简化了装配流程，避免了因螺钉扭矩不均导致的热应力集中问题，还能在温度循环中保持稳定的接触性能，延长模块寿命。压接结构特别适用于需要频繁维护或高振动环境的应用场景，如轨道交通和风力发电系统。
　　该模块具备出色的热性能和电气隔离能力，其陶瓷基板（通常为氮化铝或氧化铝）提供了良好的导热性和绝缘强度。模块的设计满足工业级严苛的工作条件，在-40°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适合各种恶劣环境下的长期运行。同时，器件具有较强的短路承受能力，能够在发生异常电流时提供一定的保护窗口，配合外部驱动电路实现有效的故障检测与保护机制。

PM50RSD120广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它被用于构建三相逆变器，控制交流感应电机或永磁同步电机的转速与转矩，常见于数控机床、传送带系统和泵类设备中。在不间断电源（UPS）系统中，该模块作为DC-AC逆变级的核心元件，能够高效地将蓄电池直流电转换为纯净的正弦波交流电，保障关键负载的持续供电。在太阳能光伏逆变器中，PM50RSD120可用于组串式或微型逆变器的主功率变换环节，实现直流到交流的能量转换，支持最大功率点跟踪（MPPT）算法的高效执行。
　　此外，该模块也适用于电焊机电源设计，特别是在MOSFET或IGBT软开关拓扑中，能够承受高频开关带来的热应力和电流冲击，提供稳定的输出电流波形。在电动汽车充电基础设施中，PM50RSD120可用于车载充电机（OBC）或直流充电桩的辅助电源模块，支持宽输入电压范围和高转换效率。其他应用还包括感应加热设备、有源滤波器（APF）、静态无功补偿装置（SVC）等电能质量治理设备，以及小型风力发电系统的并网逆变器。凭借其高可靠性和成熟的工艺技术，PM50RSD120已成为众多工程师在设计工业级功率系统时的首选器件之一。

P50RSD120