PQ1ZSZ1T 时间：2025/8/28 2:02:31 阅读：28

PQ1ZSZ1T 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似形式），适用于高密度、低功耗应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及逻辑电路中的开关元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为1.3Ω @ VGS=4.5V
　　功率耗散：100mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

特性

PQ1ZSZ1T MOSFET具备出色的低导通电阻性能，有助于降低开关损耗并提高系统效率。其小型封装形式非常适合在空间受限的便携式设备中使用。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容多种控制器输出电平，确保稳定运行。此外，PQ1ZSZ1T具有良好的热稳定性和可靠性，适用于需要长时间工作的电源系统。
　　其SOT-23封装具备良好的焊接性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。器件的静电放电（ESD）耐受能力也较高，增强了在实际应用中的稳定性与耐用性。