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PQ1ZSZ1T 发布时间 时间:2025/8/28 2:02:31 查看 阅读:9

PQ1ZSZ1T 是由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型表面贴装封装(通常为SOT-23或类似形式),适用于高密度、低功耗应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性,适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及逻辑电路中的开关元件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):100mA
  导通电阻(RDS(on)):最大值为1.3Ω @ VGS=4.5V
  功率耗散:100mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

PQ1ZSZ1T MOSFET具备出色的低导通电阻性能,有助于降低开关损耗并提高系统效率。其小型封装形式非常适合在空间受限的便携式设备中使用。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,兼容多种控制器输出电平,确保稳定运行。此外,PQ1ZSZ1T具有良好的热稳定性和可靠性,适用于需要长时间工作的电源系统。
  其SOT-23封装具备良好的焊接性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。器件的静电放电(ESD)耐受能力也较高,增强了在实际应用中的稳定性与耐用性。

应用

PQ1ZSZ1T广泛应用于各种电子设备中的电源管理电路,例如电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换器、LED驱动电路以及作为负载开关或逻辑电路中的控制元件。由于其小尺寸和高性能特性,特别适用于需要高集成度和低功耗设计的场景。

替代型号

PQ1ZSZ1TE2、2N7002、FDV301N、Si2302DS、AO3400A

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