ST12N10D 时间：2025/6/4 17:28:58 阅读：25

ST12N10D是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景中。
　　这款MOSFET以其较低的导通电阻和较高的电流处理能力著称，同时具有快速开关速度，适用于多种工业及消费类电子产品中的功率管理。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：34nC（典型值）
　　输入电容：1600pF（典型值）
　　总功耗：175W
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

ST12N10D的主要特性包括：
　　1. 低导通电阻设计，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
　　2. 快速开关性能，使得它非常适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
　　4. 具备热关断保护功能，能够防止过热损坏。
　　5. TO-220封装提供良好的散热性能，适合大功率应用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。

应用

ST12N10D通常被应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器、充电器等。
　　2. 直流/直流转换器，用于调节电压以适应不同负载需求。
　　3. 电机控制电路，特别是小型无刷直流电机的驱动。
　　4. 逆变器设计，如太阳能逆变器或不间断电源（UPS）。
　　5. 各种保护电路，比如过流保护和短路保护。
　　6. 汽车电子设备中的功率切换功能。