制造商：Skyworks Solutions, Inc.
　　产品类别：PIN 二极管
　　技术类型：Silicon PIN
　　封装/外壳：SOD-323
　　最大直流阻断电压（V_R）：70 V
　　峰值反向电压（V_RRM）：70 V
　　平均整流电流（I_O）：200 mA
　　正向压降（V_F）：1.1 V（典型值，@ I_F = 10 mA）
　　反向恢复时间（t_rr）：纳秒级（具体值取决于测试条件）
　　串联电阻（R_s）：0.6 Ω（典型值）
　　零偏置结电容（C_j0）：0.4 pF（@ V_R = 0 V, f = 1 MHz）
　　热阻（R_θJA）：350 °C/W（典型值）
　　工作结温范围（T_J）：-65 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围：-65 °C 至 +175 °C

SMS3PDH3 PIN二极管的核心特性之一是其出色的射频开关性能。该器件通过精确控制P型、本征和N型半导体层的厚度与掺杂浓度，实现了在高频信号下的高效导通与截止切换。其低串联电阻（R_s ≈ 0.6 Ω）显著降低了信号传输过程中的插入损耗，使得在高频率应用中能够保持较高的能效和信号完整性。同时，该二极管具备非常低的零偏置结电容（典型值为0.4 pF），这一参数对于提高器件在GHz频段的工作带宽至关重要。低电容意味着在反向偏置状态下对射频信号的阻碍更小，有助于实现更高的隔离度，尤其在多频段共存系统中表现优异。
　　另一个重要特性是其快速的开关响应能力。尽管PIN二极管不像肖特基二极管那样依赖少数载流子的快速抽取机制，但SMS3PDH3通过优化本征层的设计和工艺流程，有效缩短了载流子注入与复合的时间常数，从而实现纳秒级别的开关速度。这种特性使其非常适合用于脉冲调制、时分双工（TDD）系统以及雷达前端模块中需要快速切换天线路径的应用场景。
　　此外，SMS3PDH3具有良好的功率处理能力。在连续波（CW）或高峰均比信号条件下，该器件能够承受较高的射频功率而不发生性能退化或热击穿。这得益于其优良的热传导设计和高达+175°C的最大工作结温，使其能够在高温环境下长期稳定运行。再加上SOD-323小型化封装带来的良好散热性能，进一步提升了其在紧凑型射频模块中的适用性。
　　最后，该器件还表现出优异的线性度和低互调失真特性，这对于现代通信系统尤其是5G基站、毫米波回传链路等要求高动态范围的应用来说至关重要。其结构设计减少了非线性效应，确保在大信号输入下仍能维持较低的三阶交调失真（IMD3），从而保障通信质量。综合这些特性，SMS3PDH3成为高性能射频开关和保护电路的理想选择。

SMS3PDH3广泛应用于各类高频电子系统中，尤其是在需要可靠射频信号控制的场合。一个典型的应用是在移动通信基站中的天线开关模块（ASM），用于在发射和接收模式之间切换射频路径。由于其低插入损耗和高隔离度，该二极管可有效提升系统的整体效率和灵敏度。在5G NR（New Radio）基础设施中，它常被集成于有源天线单元（AAU）或射频前端模块（FEM）中，支持频段切换和波束成形功能。
　　另一个重要应用是作为限幅器或保护电路的关键组件，防止高功率射频信号或静电放电（ESD）损坏敏感的低噪声放大器（LNA）或其他前端器件。在这种配置下，SMS3PDH3在正常工作时呈现高阻抗状态，当输入功率超过阈值时迅速进入导通状态，将多余能量导向地，从而起到钳位保护作用。这种自适应保护机制无需外部控制信号，响应速度快，可靠性高。
　　此外，该器件也常用于自动增益控制（AGC）电路、可变衰减器以及射频测试设备中的信号路由开关。在相控阵雷达系统中，多个SMS3PDH3可以组成开关网络，实现天线单元之间的快速切换，以完成波束扫描功能。由于其宽频带特性，该二极管还可用于多频段兼容设备，如军用通信电台、卫星通信终端和物联网网关等。总之，无论是在民用还是军用领域，只要涉及高频信号管理与保护，SMS3PDH3都能提供稳定且高效的解决方案。

SMS7621-079LF
　　SMS39252
　　HSMS-286x系列
　　BAR50-03W