BR24G04F-3GTE2 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的高性能、低功耗铁电随机存取存储器(FRAM),属于 BR24 系列。该芯片采用 I2C 接口,具有高可靠性、快速写入和超长使用寿命的特点。FRAM 技术结合了 RAM 和 ROM 的优点,提供非易失性数据存储功能,即使在断电情况下也能保存数据。
BR24G04F-3GTE2 提供 4Kbit 的存储容量,工作电压范围为 1.7V 至 3.6V,适合低功耗应用环境。此外,该器件具有小型化的 8 引脚 SOIC 封装形式,适用于对空间要求严格的嵌入式系统。
存储容量:4Kbit
接口类型:I2C
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作电流:最大 3mA
待机电流:最大 1μA
数据保持时间:超过 10 年
写入次数:10^12 次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
BR24G04F-3GTE2 使用 FRAM 技术,具备非易失性和高速写入能力,相比传统 EEPROM 或闪存,其写入速度更快且无需写入前擦除操作。此外,它在抗辐射和耐久性方面表现突出,非常适合需要频繁写入的应用场景。该芯片还支持多种工作电压,兼容性强,并且具有极低的功耗特性,在待机状态下电流消耗可忽略不计。
BR24G04F-3GTE2 常用于需要实时数据记录和频繁数据更新的场合,例如工业自动化设备中的状态监控、医疗器械的数据日志存储、智能家居设备的配置参数保存等。同时,它也适合便携式电子设备,如手持终端、传感器节点和智能卡等。此外,由于其低功耗特性,还可用于电池供电设备,如无线传感器网络节点或便携式健康监测设备。
BR24H04BM-GN2, MB85RC04-MTR