时间：2025/12/28 9:38:28
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SMR5016-Z是一款由Diodes Incorporated生产的同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源转换器中的同步整流应用而设计。该器件通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS），精确地控制外部N沟道MOSFET的导通与关断时序，从而替代传统肖特基二极管，显著提升电源系统的转换效率并降低热耗散。SMR5016-Z广泛应用于高能效要求的AC-DC适配器、充电器、开放框架电源以及待机电源等低至中等功率密度的离线式电源系统中。该芯片具备宽输入电压工作范围，支持多种工作模式，并集成了多重保护机制，确保在各种负载条件和异常工况下稳定可靠运行。其封装形式为SOT-26小尺寸封装，有助于节省PCB布局空间，适合高密度电源设计需求。
SMR5016-Z采用电流模式控制架构，具备快速响应能力和良好的瞬态性能。它通过自供电方式从输出端取电，在轻载或空载条件下自动进入低功耗待机模式，有效提升轻载效率并满足能源之星等高能效标准。此外，该器件内部集成高压启动电路，可在系统上电初期迅速建立工作电压，缩短启动时间。整体设计注重EMI优化与系统稳定性，适用于搭配准谐振（QR）或连续导通模式（CCM）/不连续导通模式（DCM）反激控制器共同工作的场景，实现全负载范围内高效运行。
型号：SMR5016-Z
制造商：Diodes Incorporated
封装类型：SOT-26
引脚数：6
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
最大电源电压：28V
静态电流：≤ 1.2mA
关断电流：≤ 100μA
启动时间：典型值 10ms
VDD欠压锁定（UVLO）上升阈值：16V
VDD欠压锁定（UVLO）下降阈值：10V
最大开关频率：500kHz
驱动输出高电平电压：约 12V（钳位）
驱动输出拉电流能力：200mA
驱动输出灌电流能力：400mA
传播延迟时间：< 100ns
关断延迟时间：< 50ns
VDS检测阈值（导通）：典型 70mV
VDS检测阈值（关断）：典型 -50mV
SMR5016-Z具备精准的VDS检测技术，能够实时监测外部同步整流MOSFET的漏源电压变化，利用高端与低端阈值判断实现零电压开关（ZVS）或接近零电压条件下的快速导通与及时关断，避免体二极管导通带来的额外损耗，从而大幅提升系统效率，尤其在低输出电压（如5V、9V）应用中优势明显。该芯片内置自适应导通时间控制逻辑，可根据实际工作频率动态调整MOSFET的最小导通时间，防止因寄生电感引起的误关断或振荡问题，同时兼容准谐振控制器的变频特性。
为了增强系统鲁棒性，SMR5016-Z集成了多重保护功能，包括过温保护（OTP）、VDD欠压锁定（UVLO）、短路保护辅助机制以及开路故障检测。当检测到异常情况时，芯片会自动关闭驱动输出以防止损坏外部元件。此外，其驱动输出具有源极和漏极双路径电流能力，提供强劲的栅极驱动能力，有效减少MOSFET开关过程中的交越损耗。
该器件还优化了电磁干扰（EMI）性能，通过软驱动技术和噪声滤波电路抑制高频噪声传播，降低对主控PWM控制器的干扰风险。其SOT-26小型封装不仅节省空间，而且引脚排列合理，便于PCB布局与散热设计。内部高压启动电路支持直接从高压母线启动，无需额外偏置绕组，简化了变压器设计并降低了系统成本。总体而言，SMR5016-Z在效率、可靠性与集成度之间实现了良好平衡，是现代高效反激电源中理想的同步整流解决方案之一。
SMR5016-Z主要用于各类需要高能效和紧凑设计的离线式AC-DC电源产品中。典型应用场景包括手机、平板电脑和其他便携设备的USB充电器与适配器，尤其是输出功率在10W至65W之间的单路或多路输出电源系统。由于其出色的轻载效率表现，也常用于待机电源模块（standby power supply），满足欧盟CoC Tier 2、Energy Star等国际能效规范要求。
此外，该芯片适用于工业级开放框架电源（open-frame power supply）、智能家居设备供电单元、路由器、机顶盒、LED照明驱动电源等对效率和可靠性有较高要求的产品。在与主控PWM控制器（如BCD、ON Semi、Power Integrations等厂商推出的反激控制器）配合使用时，可构建完整的高效率反激变换器方案，实现高达94%以上的整体转换效率。
由于其具备良好的瞬态响应能力和宽温工作范围，SMR5016-Z也可用于环境温度变化较大的户外或工业环境中。其小型化封装使其特别适合追求小型化、薄型化设计的消费类电子产品，例如超薄笔记本电源适配器、无线耳机充电仓电源模块等。同时，其抗噪声能力强的特点使其在复杂电磁环境下仍能保持稳定工作，适用于EMI敏感的应用场合。
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