BAV99G-AE3-R 时间：2025/12/27 7:40:33 阅读：12

BAV99G-AE3-R是一款由中央半导体公司（Central Semiconductor Corp）生产的表面贴装双串联开关二极管阵列，广泛应用于高频信号切换、保护电路以及通用整流场合。该器件采用SOT-23小型封装，适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。BAV99G-AE3-R内部集成了两个独立的PN结二极管，采用共阴极配置，即两个阳极分别引出，而阴极连接在一起。这种结构特别适用于信号箝位、电平移位和反向电压保护等应用。该二极管采用先进的玻璃钝化工艺制造，具有优异的可靠性与稳定性，能够在较宽的温度范围内保持一致的电气性能。其低正向导通电压、快速开关响应时间和低漏电流特性使其成为便携式电子设备、通信模块和数字逻辑接口中的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品中。

参数

型号：BAV99G-AE3-R
　　封装类型：SOT-23
　　二极管配置：双串联共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大均方根电压（VRMS）：50V
　　最大正向整流电流（IF）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：1.25V @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 70V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C

特性

BAV99G-AE3-R具备出色的高频开关性能，其反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，这使得它在高速数字信号处理和高频脉冲应用中表现出色。由于其快速的开关能力，能够有效防止在开关瞬态过程中出现不必要的电荷积累或信号失真，从而提升系统整体响应速度与稳定性。该器件的正向压降较低，在100mA电流下典型值为1.0V，最大不超过1.25V，有助于降低功耗并提高能效，尤其适用于电池供电设备。
　　该二极管采用共阴极结构设计，两个阳极独立引出，便于实现双路信号控制或冗余保护功能。例如，在I2C总线、USB数据线或GPIO接口中，可利用此结构对上下行信号进行双向箝位，防止因过压或静电放电（ESD）造成后级IC损坏。其最大反向电压为70V，支持多种低压直流系统的保护需求，包括5V、12V及24V电源轨的应用场景。
　　BAV99G-AE3-R的漏电流极低，在室温下反向漏电流典型值小于1μA，最大为5μA@70V，确保在高阻抗电路中不会引入显著的静态功耗或信号漂移。这一特性使其适用于精密模拟前端、传感器接口和高输入阻抗放大器保护电路中。同时，器件具有良好的温度稳定性，即使在极端工作条件下也能维持稳定的电气参数表现。
　　采用SOT-23封装形式，体积小巧（约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），便于在空间受限的设计中使用，并兼容标准回流焊工艺，适合大规模自动化生产。此外，产品符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代绿色电子产品设计规范。整体而言，BAV99G-AE3-R是一款高性能、高可靠性的通用开关二极管，适用于广泛的工业、消费类及通信领域应用。

应用

BAV99G-AE3-R广泛应用于各类电子系统中的信号保护与切换功能。常见用途包括数字通信接口的ESD保护，如I2C、SPI、UART、USB等串行总线，利用其低电容和快速响应特性来吸收瞬态电压冲击，防止敏感逻辑器件受损。在电源管理电路中，可用于防止反向电流流动或实现简单的OR-ing功能，尤其是在多电源切换系统中提供基本隔离。
　　在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常被用于按键去抖、LED驱动限流路径中的防倒灌以及电池端口的电压箝位。其低正向压降和小封装尺寸非常契合这类对空间和功耗高度敏感的产品设计。
　　此外，BAV99G-AE3-R也适用于音频信号路径中的直流偏置隔离、射频前端电路的信号整形以及传感器信号调理模块中的过压保护。在工业控制领域，常用于PLC输入输出模块、继电器驱动电路的续流保护以及编码器信号的整形与滤波。
　　由于其共阴极结构，还可作为电平移位电路的一部分，配合电阻网络实现不同电压域之间的逻辑兼容。例如，在3.3V微控制器与5V外设之间构建安全的数据传输通道时，可通过该二极管阵列实现双向电平转换，同时避免电流倒灌风险。总体来看，其多功能性和高可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。